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J-GLOBAL ID：200903024227855632

半導体レーザ素子

Inventor： 菊川 知之 ,  川面 英司
Applicant, Patent owner： アンリツ株式会社
Agent (1)： 小池 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991274745
Publication number (International publication number)：1993090706
Application date： Sep. 26, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】活性層における等価屈折率差により、光の閉じ込め率を向上させて、横モードを安定させ、しきい値電流の低減と発光効率の増大を達成した。【構成】活性層3の上部または下部にあるクラッド層2、6の内部にあり、電流が流れる領域を一定領域に制限する電流ブロック層5の禁制帯幅をクラッド層2、6よりも広くし、また電流ブロック層5の屈折率をクラッド層より低くした。また、電流ブロック層5を活性層3のごく近傍に配した。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けられた第一及び第二のクラッド層(2,4)と、該二つのクラッド層間に置かれた活性層(3)とを備えた半導体レーザ素子であって、前記少なくとも一方のクラッド層内には、前記活性層に近接した位置に設けられ、前記クラッド層より禁制帯幅が広く、かつ前記クラッド層とは逆の導電性を有する半導体でなり、光の透過方向に沿って電流を通過させるストライプ状の間隔(5a)を持つ電流ブロック層(5)とを備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。