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J-GLOBAL ID:200903024230619567

ゲルマニウム系高分子材料を製造する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三枝 英二 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995006998
Publication number (International publication number):1995316304
Application date: Jan. 20, 1995
Publication date: Dec. 05, 1995
Summary:
【要約】【目的】分子量が揃っており、高分子量を有するゲルマニウム系高分子材料を高収率で、操作性良く、安全且つ安価に製造しうる新たな製造方法を提供することを主な目的とする。【構成】MgまたはMg合金を陽極とし、Li塩を支持電解質とし、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反応に原料ハロゲルマンを供することにより、両端にハロゲン原子を有する直鎖状ポリゲルマンを形成させた後、同じ反応系にトリハロゲルマンおよび/またはテトラハロゲルマンを添加して、電極反応を継続し、ゲルマニウム系高分子材料を形成させる。
Claim (excerpt):
ゲルマニウム系高分子材料を製造する方法であって、(a)一般式【化1】(式中mは、1〜3である:Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す。m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4つのRが、m=3の場合は6つのRが、それぞれ同一でもあるいは2つ以上が相異なっていてもよい:Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるジハロゲルマンをMgまたはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質とし、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反応に供することにより、一般式【化2】(式中RおよびXは、出発原料に対応して上記に同じ:nは、10〜1000である)で示される両端にハロゲンを有する直鎖状ポリゲルマンを形成させる工程、および(b)一般式(2)で示される上記の直鎖状ポリゲルマンを含む反応系に一般式【化3】(式中Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるトリハロゲルマンおよび/または一般式【化4】(式中Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるテトラハロゲルマンをそのまま添加し、電極反応に供することにより、一般式【化5】(式中Rおよびnは、出発原料に対応して上記に同じ。)で示される構造単位と一般式【化6】(式中Rは、出発原料に対応して上記に同じ。)で示される構造単位および/または一般式【化7】で示される構造単位とからなるゲルマニウム系高分子材料を形成させる工程を備えたことを特徴とする方法。
IPC (4):
C08G 79/00 NUN ,  C01G 17/00 ,  C25B 3/00 ,  H01B 1/12

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