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J-GLOBAL ID：200903024233871410

プラズマ処理装置及び処理方法

Inventor： 寺西 康治 ,  山上 敦士 ,  高木 智
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996125770
Publication number (International publication number)：1997310181
Application date： May. 21, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 従来のプラズマプロセスでは達成できなかった処理速度で比較的大面積の基体を均一にプラズマ処理することが可能な装置及び方法は無かった。【解決手段】 外側に複数のカソード電極2を配置した減圧可能な反応容器15内に、カソード電極2に対向する対向電極を設け、各カソード電極2に30MHz以上、600MHz以下の高周波電力を整合回路を介して印加してカソード電極2と対向電極間にプラズマを発生させ、前記対向電極上に配置した被処理基体3にプラズマ処理を行う装置であって、カソード電極2と対向電極間にある反応容器15の一部を誘電体部材10で形成し、整合回路7と各カソード電極2との間の各高周波伝送路上にコンデンサー11を配した。

Claim (excerpt)：

減圧可能な反応容器内に、カソード電極に対向する対向電極を設け、前記カソード電極に高周波電力を整合回路を介して印加して前記カソード電極と対向電極間にプラズマを発生させ、前記対向電極上に配置した被処理基体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記カソード電極は前記反応容器の外側に複数配置され、前記カソード電極と対向電極間にある前記反応容器の一部は誘電体部材からなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (7)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 R ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマリアクター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-322502   Applicant：ラムコ株式会社
• プラズマ励起用電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-184450   Applicant：国際電気株式会社