Pat
J-GLOBAL ID:200903024240149550
二次元放射線検出器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西岡 義明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000136797
Publication number (International publication number):2001320035
Application date: May. 10, 2000
Publication date: Nov. 16, 2001
Summary:
【要約】【課題】 従来の固体X線変換層を用いて、低コストでX線変換効率の良い二次元放射線検出器を提供する。【解決手段】 TFTガラス基板4上にTFTスイッチング素子、蓄積容量、走査回路を形成し、その上部にX線に感応し電荷信号を発生するa-Se膜2が形成され、その電荷信号を読み出すためにゲートドライバ回路6、プリアンプ回路、A/D変換器が搭載された主パネルと、一方、TFTガラス基板3上にTFTスイッチング素子、蓄積容量、走査回路を形成し、その上部にX線に感応し電荷信号を発生するa-Se膜1が形成された副パネルを、スペーサ7を介して対向配置させ、異方性導電フイルム5によって電気的な接続がされ、ゲートドライバ回路6、プリアンプ回路、A/D変換器が共有されるものである。
Claim (excerpt):
放射線に感応し入射線量に対応した電荷信号を出力するX線変換層にそれぞれ電極を接続してなる二次元放射線センサーアレイと、その直下に行列状に配置され前記電極に接続されたTFTスイツチと、信号読み出し時に各TFTスイツチを順次ONするゲートドライバ回路と、各画素に蓄積された電荷信号を読出す読出アンプ回路とから構成される二次元放射線検出器において、2組の前記二次元放射線検出器を密着し対向配置させることにより前記X線変換層を2層にして一つの2次元放射線検出器を構成することを特徴とする二次元放射線検出器。
IPC (4):
H01L 27/14
, G01T 1/24
, H01L 31/09
, H04N 5/32
FI (4):
G01T 1/24
, H04N 5/32
, H01L 27/14 K
, H01L 31/00 A
F-Term (36):
2G088EE29
, 2G088FF02
, 2G088GG21
, 2G088JJ05
, 4M118AA01
, 4M118AA10
, 4M118AB10
, 4M118BA05
, 4M118BA30
, 4M118CA11
, 4M118CA14
, 4M118CA17
, 4M118FB03
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB23
, 4M118FB25
, 4M118HA05
, 4M118HA22
, 4M118HA26
, 4M118HA32
, 5C024AX12
, 5C024CX41
, 5C024GX03
, 5C024GX07
, 5C024GX09
, 5C024GY31
, 5F088AA01
, 5F088AB01
, 5F088AB05
, 5F088BB03
, 5F088BB07
, 5F088EA04
, 5F088EA08
, 5F088JA17
, 5F088LA07
Return to Previous Page