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J-GLOBAL ID：200903024247116313

半導体レーザの製法

Inventor： 田辺 哲弘
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997071463
Publication number (International publication number)：1998270788
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 AlGaInP系により電流狭窄層が設けられる半導体レーザにおいて、ストライプ溝のためのエッチングを制御よく容易に行える製法を提供する。【解決手段】 (a)基板1上にAlGaInP系化合物半導体からなる下部クラッド層2、活性層3、上部第1クラッド層4を順次エピタキシャル成長し、(b)AlGaInP系化合物半導体からなる電流狭窄層6をエピタキシャル成長し、(c)GaAsからなる保護層6aをエピタキシャル成長し、(d)1×10-4以上の高真空で、かつ、ヒ素分圧がヒ素の蒸気圧より高い分圧でアニール処理を行い、(e)前記保護層および電流狭窄層を同じエッチング液で同時にエッチングすることによりストライプ状の溝を形成し、(f)AlGaInP系化合物半導体からなる上部第2クラッド層7およびGaAsからなるコンタクト層8をエピタキシャル成長することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

(a)基板上にAlGaInP系化合物半導体からなる下部クラッド層、活性層、上部第1クラッド層を順次エピタキシャル成長し、(b)AlGaInP系化合物半導体からなる電流狭窄層をエピタキシャル成長し、(c)GaAsからなる保護層をエピタキシャル成長し、(d)1×10-4以上の高真空で、かつ、ヒ素分圧がヒ素の蒸気圧より高い分圧でアニール処理を行い、(e)前記保護層および電流狭窄層を同じエッチング液で同時にエッチングすることによりストライプ状の溝を形成し、(f)AlGaInP系化合物半導体からなる上部第2クラッド層およびGaAsからなるコンタクト層をエピタキシャル成長することを特徴とする半導体レーザの製法。