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J-GLOBAL ID:200903024247501187

半導体ウエハー加熱装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992064760
Publication number (International publication number):1993267191
Application date: Mar. 23, 1992
Publication date: Oct. 15, 1993
Summary:
【要約】【構成】 緻密質セラミックスからなる例えば円盤状の基体2の内部に、抵抗発熱体3を埋設し、セラミックスヒーター1を構成する。円筒状体6は、両端が開口しており、緻密質セラミックスからなる。基体2と円筒状体6の端面との間に、軟質金属製の円環状部材7を設置する。円筒状体6と基体2とを円環状部材7の方へと押圧することで、円筒状体6と基体2との間を気密にシールする。【効果】 電極9、端子12などが、容器17の内部雰囲気に曝されないので、各部材の腐食や漏電、放電といった問題が生じない。また、円筒状体6と基体2とを接合、一体化しないので、加熱装置の製造が容易であり、シール性能が安定しているし、両者を別々に交換できる。また、ボルト22により、圧力を調整できる。
Claim (excerpt):
緻密質セラミックスからなる盤状基体の内部に抵抗発熱体を埋設してなるセラミックスヒーターと、緻密質セラミックスからなり、両端が開口している筒状体と、前記盤状基体と前記筒状体の端面との間に設置された軟質金属製の環状部材と、前記セラミックスヒーターの側周面を支持する支持部材と、前記筒状体を前記盤状基体の方へと押圧する押圧用部材とを備え、前記盤状基体及び前記筒状体を前記環状部材に押しつけることにより前記盤状基体と前記筒状体との間を気密にシールできるように構成された、半導体ウエハー加熱装置。
IPC (2):
H01L 21/205 ,  H01L 21/302

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