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J-GLOBAL ID：200903024259068721

堆積膜形成装置のクリーニング方法

Inventor： 吉野 豪人 ,  村上 仁 ,  山崎 晃司 ,  江原 俊幸
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 荻上 豊規
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992180549
Publication number (International publication number)：1994002143
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Jan. 11, 1994
Summary：

【要約】CVD法による堆積膜形成装置の、ClF3ガスを使用するクリーニング方法の改良。【目的】CVD法による堆積膜形成装置を効率的にクリーニングする方法の提供。【構成】クリーニング用ガスとしてClF3ガスを使用し、該ガスを希釈ガスと混合し濃度を順次低下させながらクリーニングを行うCVD法による堆積膜形成装置のクリーニング方法。

Claim (excerpt)：

減圧下で堆積膜を形成するための装置の気相化学法によるクリーニング方法であって、クリーニング用ガスとしてのClF3ガスを希釈ガスと混合して用い、該ClF3ガスの濃度を順次低下させながらクリーニングを行うことを特徴とする堆積膜形成装置のクリーニング方法。

IPC (3)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/00 ,  C23F 4/00