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J-GLOBAL ID：200903024267051277

半導体メモリ

Inventor： 朴 哲佑 ,  張 賢淳 ,  金 哲洙 ,  金 明鎬 ,  李 昇▲勲▼ ,  李 始烈 ,  李 鎬哲 ,  金 泰▲じん▼ ,  崔 潤浩
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993248359
Publication number (International publication number)：1994195963
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 外部システムクロックに同期して、メモリセルアレイ内のデータを高速にアクセスすることができる半導体メモリを提供する。【構成】 外部クロックを入力する半導体メモリにおいて、読出しサイクル又は書込みサイクルを示すアクティブサイクル又はプリチャージサイクルで動作可能な複数のメモリバンクと、上記外部クロックの立上りエッジ又は立下りエッジに応答して、入力された行アドレスストローブ信号の論理レベルをラッチするための手段と、前記メモリバンクのうちいずれか一つを選択するための外部アドレスの入力手段と、ラッチされた前記論理レベルとアドレス入力手段からのアドレスを受け取り、該論理レベルが第1論理レベルの時、選択されたメモリバンクに活性化信号を出力してアクティブサイクルで、選択されなかったメモリバンクには非活性化信号を出力してプリチャージサイクルで動作させる手段とを備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成され複数の動作モードを有する半導体メモリにおいて、前記動作モードの中で少なくとも一つを指定するようにされた外部アドレスをうけるためのアドレス入力手段と、モード設定動作時にモード設定信号を発生するための手段と、前記モード設定信号に応答し前記外部アドレスに従ってコードを貯蔵し、貯蔵されたコードによって決定される動作モードを示す動作モード信号を発生するための手段と、を備えることを特徴とする半導体メモリ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-194799
  
• 特開昭61-289594
  
• 特開平3-194799
  
• 特開昭61-289594