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J-GLOBAL ID：200903024280354610

ポリエチレンナフタレートビベンゾエート(PENBB)の層を含む二軸延伸フィルム、これらのフィルムの製法およびそれらの使用

Inventor： シンシア、ベネット ,  ボード、クーマン ,  ベネット、クレイトン、ウォード ,  イー-ウォン、チョー ,  ジョン、アンソニー、フリント
Applicant, Patent owner： ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993180352
Publication number (International publication number)：1994199999
Application date： Jul. 21, 1993
Publication date： Jul. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 剛性及び耐熱性にすぐれた、薄い磁気デープおよびコンデンサー誘導体を製造するためのフィルム、およびその製造法の提供。【構成】 本発明は、ジカルボン酸由来の反復単位として式【化1】の少なくとも1個の単位を含むコポリエステルを含み、該反復単位が、該コポリエステル中に存在する、ジカルボン酸由来の反復単位の少なくとも25モル%までを構成する、総厚が0.05〜500μm の、単層または多層の、二軸延伸フィルムに関する。また、本発明は、コポリエステルが10モル%未満のテレフタル酸エステルに由来する反復単位を含み、式IIの反復単位の含有量が少なくとも5モル%である二軸延伸フィルムにも関する。ジカルボン酸由来の式IIおよびI【化2】の反復単位からなる二軸延伸フィルムが好ましい。

Claim (excerpt)：

総厚が0.05〜500μm の単層または多層の二軸延伸フィルムであって、ジカルボン酸由来の反復単位として式【化1】で表わされる少なくとも1個の単位を含むコポリエステルを含み、前記反復単位が、前記コポリエステル中に存在する、ジカルボン酸由来の反復単位の少なくとも25モル%を構成する、ことを特徴とするフィルム。

IPC (7)：

C08G 63/181 NME ,  B29C 55/12 ,  C08G 63/18 NMD ,  C08G 63/189 NMZ ,  C08G 63/19 NNC ,  B29K 67:00 ,  B29L 7:00