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J-GLOBAL ID：200903024284706635

光起電力素子の製造方法

Inventor： 高濱 豪 ,  中井 拓夫 ,  坂田 仁
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997284427
Publication number (International publication number)：1999112011
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 光電変換効率が高い光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】 i型のシリコン水素合金層20が凹凸化された表面に形成されたn型の単結晶シリコン基板1を(a)、H2 で希釈されたB2 H6 ガスのプラズマ中に曝し、i型のシリコン水素合金層20の表面からある深さまでボロン原子を混入させて(b)、i型のシリコン水素合金層2及びp型のシリコン水素合金層3の積層構造を形成する(c)。

Claim (excerpt)：

結晶系シリコン基板を有する光起電力素子を製造する方法において、前記結晶系シリコン基板の表面に電気抵抗を小さくする不純物を実質的に含まないシリコン水素合金層を形成する工程と、電気抵抗を小さくする不純物を含むガスを励起した雰囲気に、前記シリコン水素合金層が形成された前記結晶系シリコン基板を曝して、前記不純物を前記シリコン水素合金層に拡散させる工程とを有することを特徴とする光起電力素子の製造方法。