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J-GLOBAL ID：200903024286741063
フォトマスクの欠損欠陥修正方法およびその装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994136814
Publication number (International publication number)：1996006233
Application date： Jun. 20, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 フォトマスクの欠損欠陥を修正する際に、耐腐食性に優れ、かつ、線制御性に優れた薄膜を堆積させる。【構成】 CW励起(連続発振)Qスイッチレーザを用いた熱CVD法によるフォトマスクの欠損欠陥を修正する方法において、モリブデンカルボニルガスを含んだガス雰囲気中で、前記CW励起Qスイッチレーザ光を前記フォトマスクの欠損欠陥部に集光照射することで第1の薄膜を堆積させる第1の工程と、クロムカルボニルガス雰囲気中で、前記第1の工程とは異なるQスイッチレートの前記CW励起Qスイッチレーザ光を前記第1の薄膜上に集光照射することで第2の薄膜を堆積させる第2の工程とを行う。
Claim (excerpt)：
連続発振(CW励起)Qスイッチレーザを用いた熱CVD法によるフォトマスクの欠損欠陥を修正する方法において、モリブデンカルボニルガスを含んだガス雰囲気中で、前記CW励起Qスイッチレーザ光を前記フォトマスクの欠損欠陥部に集光照射することで第1の薄膜を堆積させる第1の工程と、クロムカルボニルガス雰囲気中で、前記第1の工程とは異なるQスイッチレートの前記CW励起Qスイッチレーザ光を前記第1の薄膜上に集光照射することで第2の薄膜を堆積させる第2の工程とを含むことを特徴とするフォトマスクの欠損欠陥修正方法。
Patent cited by the Patent：
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