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J-GLOBAL ID：200903024294347641

半導体集積回路の製造方法

Inventor： 梶田 美香 ,  吉田 正義 ,  加藤 久幸 ,  守部 俊二 ,  田中 克彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995206865
Publication number (International publication number)：1997055478
Application date： Aug. 14, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【目的】 単純な構造で高品質・高容量となるキャパシタ形成技術を提供する。【構成】 半導体基板の所望導体上に下部電極,Ta2O5膜からなる容量絶縁膜,上部電極を順次積層形成してスタックド構造の容量素子を形成する方法であって、前記下部電極形成後、ハロゲン物質を含まない有機ソースを用い酸素を多量に流した状態でTa2O5膜を形成する工程と、前記Ta2O5膜を酸素雰囲気下で熱処理する工程と、ハロゲン物質を含まない有機ソースを用いて上部電極となるTiN膜を形成する工程とを有する。ドープトポリシリコン膜を形成した後、前記ドープトポリシリコン膜上に厚さ20Å程度のSi3N4膜を形成して下部電極を形成する。上部電極を構成するTiN膜はNH3とTi〔N(C2H5)2〕4などのTi(NR2)4とを250〜550°C程度で反応させて形成する。Ta2O5膜がハロゲン物質によって劣化しない。

Claim (excerpt)：

半導体基板の所望導体上に下部電極,Ta2O5膜からなる容量絶縁膜,上部電極を順次積層形成して容量素子を形成する工程を有する半導体集積回路の製造方法であって、前記下部電極形成後、ハロゲン物質を含まない有機ソースを用い酸素を多量に流した状態でTa2O5膜を形成する工程と、前記Ta2O5膜を酸素雰囲気下で熱処理する工程と、ハロゲン物質を含まない有機ソースを用いて上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-042646   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-225225
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-191119   Applicant：株式会社東芝