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J-GLOBAL ID：200903024305491707

窒化物半導体素子

Inventor： 千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  伊藤 潤 ,  野杁 静代
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998178609
Publication number (International publication number)：1999176753
Application date： Jun. 25, 1998
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体素子において窒化物半導体の化学量論比が変化しないようにする。【構成】 窒化物半導体層と基板との間に窒素原子の拡散を防止するシリサイド層を介在させる。

Claim (excerpt)：

シリサイドの層と、該シリサイド層の上に形成される窒化物半導体の層とを備えてなる窒化物半導体素子。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/12 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• III 族窒化物半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-275421   Applicant：富士電機株式会社