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J-GLOBAL ID:200903024309540915

膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000289834
Publication number (International publication number):2002097414
Application date: Sep. 25, 2000
Publication date: Apr. 02, 2002
Summary:
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率が小さく、塗膜の残留ストレスが小さく、機械的強度に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料を得る。【解決手段】 (A)シラン化合物を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポリマーならびに(B)シラン化合物を加水分解し、縮合した加水分解縮合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポリマーR10eSiX4-e ・・・・・(1)(式中、R10は水素原子または1価の有機基、Xはハロゲン原子、eは1〜2の整数を示す。)SiX4 ・・・・・(2)(式中、Xはハロゲン原子を示す。) R11fX3-fSi-(R13)h-SiX3-gR12g ・・・・・(3)〔式中、R11〜R13は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、f〜gは同一または異なり、0〜2の整数、R13は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、Xはハロゲン原子、hは0または1を示す。〕ならびに(B)下記一般式(4)で表される化合物、下記一般式(5)で表される化合物および下記一般式(6)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解し、縮合した加水分解縮合物Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(4)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(5)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-c R6c ・・・・(6)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)m-で表される基(ここで、mは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (8):
C09D183/04 ,  C08G 77/60 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (8):
C09D183/04 ,  C08G 77/60 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
F-Term (26):
4J035JA01 ,  4J035JB03 ,  4J035LA03 ,  4J035LB01 ,  4J038DL021 ,  4J038DL022 ,  4J038DL071 ,  4J038DL072 ,  4J038DL161 ,  4J038DL162 ,  4J038HA066 ,  4J038KA04 ,  4J038MA07 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058AA02 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058BA04 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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