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J-GLOBAL ID：200903024309596180

コンタクトホールの形成方法

Inventor： 坂村 正二
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993124323
Publication number (International publication number)：1994333882
Application date： May. 26, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 テ-パ-角度のばらつきの発生等を防止し、テ-パ-付きのコンタクトホ-ルを安定に形成する方法を提供する。【構成】 ドライエッチングにより、ほぼ垂直にコンタクトホ-ル(13)を開口した後に、半導体基板(11)の上方から、Arイオンをスパッタする。これにより、コンタクトホ-ル(13)のエッジ部分の絶縁膜がコンタクトホ-ル(13)の底部へ移動する結果、テ-パ-が形成される。テ-パ-角度θ1,θ2は一定のスパッタ時間以上では飽和し、一定となる。

Claim (excerpt)：

絶縁膜に対するコンタクトホールの形成方法において、ドライエッチングによりコンタクトホールを開口した後に、半導体基板の上方からArイオンをスパッタすることにより、該コンタクトホールにテーパーを付することを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-102331
  
• 特開平3-254122