半導体装置、その製造方法及び電界効果トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995159443
Publication number (International publication number)：1997008297
Application date： Jun. 26, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】コバルトやニッケルのシリサイド層の形成に悪影響を及ぼす自然酸化膜を破壊して、平坦性に富み膜厚均一な接合リークの少ないシリサイド層の形成を可能とする。【構成】ゲート電極4の電極層4Aとソース/ドレイン拡散層1,2の上に膜厚20nm以下のコバルト層7を形成し、イオン注入により窒素8を密度1E15/cm3 程度で且つ注入エネルギー10keV以上で注入する。その際、窒素8は、コバルト層7と電極層4Aとの界面及びコバルト層7とソース/ドレイン拡散層1,2との界面に存在する自然酸化膜を破壊し、電極層4Aとソース/ドレイン拡散層1,2の内部深くにまで分布する。その後、コバルトのシリサイド化反応によりシリサイド層6を形成する。自然酸化膜が存在しないため、シリサイド化反応が均一に進む。窒素8に代えてフッ素又はシリコンとしても良い。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主面上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上面上に形成された電極層と、前記電極層の上面上に形成されたシリサイド層と、前記シリサイド層の内部に分布し且つ当該シリサイド層と前記電極層との界面から前記電極層の内部へ向けても分布した不純物層とを備え、前記電極層と前記シリサイド層とはトランジスタのゲート電極を形成し、前記シリサイド層とは還元性のない拡散種としての金属がシリサイド化した層であり、前記不純物層とは前記トランジスタの電気的特性を損なわないような材料から成る、半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/265 Q , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-256938 Applicant：株式会社東芝
特開平1-179415
特開昭58-138075

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