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J-GLOBAL ID：200903024321727400

GaAs半導体装置およびその製造方法

Inventor： 石井 学 ,  中島 成
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993146400
Publication number (International publication number)：1995007024
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 GaAs半導体基板の裏面に金層が堅固に密着したGaAs半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 素子が形成されていない基板裏面が酸で洗浄される。次に、真空容器中でGaAs半導体基板11の裏面にプラチナ層12および金層13が順次蒸着される。その後、半導体装置が真空容器内から取り出され、250°Cで60分間の熱処理が行われる。プラチナは250°Cから300°Cの温度でGaAsと固層反応を起こし、プラチナ層12と基板裏面のGaAs層との界面にはPt-PtGa-PtAs2 -GaAsの安定した多層構造が形成される。

Claim (excerpt)：

GaAs半導体基板裏面のGaAs層にプラチナ層またはクロム層が固層反応して形成された第1の層と、この第1の層上に形成された金からなる第2の層とを備えていることを特徴とするGaAs半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-079236
  
• 特開平4-286362
  
• 特開昭61-078176