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J-GLOBAL ID：200903024353622457

半導体基板および薄膜半導体部材ならびにそれらの製造方法

Inventor：
田舎中 博士

About 田舎中 博士


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997360429
Publication number (International publication number)：1999195562
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 多孔質層における歪みが少なく多孔質層において容易に分離することができる半導体基板および優れた結晶性を有する薄膜半導体部材ならびにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 基板本体11の上に半導体よりなる多孔質層12を介して半導体薄膜13が形成される。半導体薄膜13は多孔質層12から分離され薄膜半導体部材として用いられる。多孔質層12は厚さ方向において不純物濃度が変化しているかあるいは不純物濃度が1×1018cm-3以上となっている。よって、多孔質層12を陽極化成により形成する際に電流密度を小さくしても、多孔質層12の多孔率を厚さ方向において変化させることができる。従って、多孔質層12の歪みを少なくできると共に多孔質層12において容易に分離することができ、半導体薄膜13の結晶性も向上させることができる。
Claim (excerpt)：
多孔質の半導体よりなり、厚さ方向において不純物濃度に変化を有する多孔質層を備えたことを特徴とする半導体基板。
IPC (3)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 31/04
FI (3)：
H01L 21/02 B ,  H01L 21/306 L ,  H01L 31/04 H
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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