プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅野中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996218736
Publication number (International publication number)：1998060672
Application date： Aug. 20, 1996
Publication date： Mar. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】プラズマ処理装置において、静電気力で下部電極へ吸着されたウェハの搬送信頼性を向上する。【解決手段】チャンバー1に上部電極3と下部電極4が設けられている。プラズマ処理中に高周波電力が印加されていた下部電極4を高周波電源から切り離し、下部電極4を接地し、ウェハ8が設置されていない上部電極3に、小電力の高周波電力を印加し、上部電極3と下部電極4の間に高周波放電を発生させる。この除電処理では、プラズマ処理時と反対に上部電極3に高周波電力を印加し、かつ下部電極4を接地しているため、プラズマイオンがウェハ8側に集まり、プラズマ処理時にウェハ8に帯電していたマイナス電荷を中和、すなわち除電することとなる。

Claim (excerpt)：

切替えスイッチと、高周波電源とを有し、上部電極と下部電極間に高周波放電を生じさせて下部電極上のウェハをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、切替えスイッチ及び高周波電源は、プラズマ処理後の下部電極上からウェハを剥離させる際に動作させるものであり、切替えスイッチは、下部電極を接地側に切替えて接地するものであり、高周波電源は、前記切替えスイッチにより上部電極に切替接続され、該上部電極に除電用の高周波電力を供給するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/68 , H05H 1/46

FI (5)：

C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/68 R , H05H 1/46 M , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-163710 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社

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