ナイトライド系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：眞鍋潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000094994
Publication number (International publication number)：2001284263
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】ナイトライド系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ナイトライド系III-V族化合物半導体成長層の結晶欠陥を低減し、特性を向上する。【解決手段】 C軸に平行な面にナイトライド系III-V族化合物半導体を積層したナイトライド系III-V族化合物半導体装置のC軸方向に成長した横方向成長層5上に能動領域6を設ける。

Claim (excerpt)：

C軸に平行な面にナイトライド系III-V族化合物半導体を積層したナイトライド系III-V族化合物半導体装置において、C軸方向に成長した横方向成長層上に能動領域を設けたことを特徴とするナイトライド系III-V族化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323

F-Term (39)：

5F041AA14 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F045AA06 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045CB02 , 5F045DB01 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073EA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

GaN系結晶基材およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-236845 Applicant：三菱電線工業株式会社

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