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J-GLOBAL ID：200903024360883568

半導体装置

Inventor： 西川 幸江 ,  石川 正行 ,  波多腰 玄一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052448
Publication number (International publication number)：1994268319
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、注入した電流を効果的に狭窄し得る構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明による半導体装置は、エネルギービームを照射され、不純物の電気的活性化率が低下されて電気伝導率が低下された高抵抗層21,22を有する半導体層を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

エネルギービームの照射により不純物の電気的活性化率が低下され、電気伝導率が低下された部分を有する半導体層を含むことを特徴とする半導体装置。