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J-GLOBAL ID：200903024361434481

光センサ及びその製造方法

Inventor： 西野 弘師
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997314737
Publication number (International publication number)：1999150288
Application date： Nov. 17, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 光センサ及びその製造方法に関し、複数の多重量子井戸層を積層形成して複数波長の光に応答する光センサに於ける設計の自由度を大きく、また、複数の多重量子井戸層から個別に光電流を取り出したり、全ての光電流を同時に取り出すことができるようにする。【解決手段】 基板1に第1の共通コンタクト層3、第1の多重量子井戸層5、第1の素子電極19を備えた第1の素子コンタクト層6が積層され且つ第1の共通コンタクト層3から表面側に在る半導体層の周囲が高抵抗領域9で絶縁された下側素子部分と、該下側素子部分上に分離層7を介して第2の共通コンタクト層11、第2の多重量子井戸層13、第2の素子電極17を備えた第2の素子コンタクト層14が積層され且つ第2の共通コンタクト層11から表面側に在る半導体層の周囲が素子間分離溝13Aで絶縁された上側素子部分とからなる素子を実現した。

Claim (excerpt)：

光を吸収して多重量子井戸のサブ・バンド間でキャリヤが励起され光検知を行なう素子が列或いは面に配置された光センサに於いて、基板上に積層形成された第1の共通コンタクト層及び第1の多重量子井戸層及び電極を備えた第1の素子コンタクト層をもち且つ第1の共通コンタクト層から表面側に在る各半導体層の周囲は隣接素子と絶縁されてなる下側素子部分と、下側素子部分上に分離層を介して積層形成された第2の共通コンタクト層及び第1の多重量子井戸層とは波長を異にする光を吸収する第2の多重量子井戸層及び電極を備えた第2の素子コンタクト層をもち且つ少なくとも第2の共通コンタクト層から表面側に在る各半導体層の周囲は隣接素子と絶縁されてなる上側素子部分とで構成された素子を含んでなることを特徴とする光センサ。