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J-GLOBAL ID：200903024370825701

トランジスタの温度を用いてバイアス制御する高周波電力増幅器

Inventor： 奥川 秀明
Applicant, Patent owner： 日本アビオニクス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999195455
Publication number (International publication number)：2001024445
Application date： Jul. 09, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 安定した高周波電力増幅器を提供する。【解決手段】 入力整合回路と出力整合回路を有し、ドレイン電圧供給回路とバイアス供給回路を備え、電界効果型トランジスタを増幅素子とした高周波電力増幅器において、この電界効果型トランジスタを囲むように複数の熱電対を直列に接続し、この起電力(FETの温度)を前記バイアス供給回路に与え、前記バイアス供給回路は前記起電力に基づいたバイアス電圧をこのFETに与えることにより、動作が安定した高周波電力増幅器を得る。

Claim (excerpt)：

入力整合回路と出力整合回路を有し、ドレイン電圧供給回路とバイアス供給回路を備え、電界効果型トランジスタを増幅素子とした高周波電力増幅器において、前記電界効果型トランジスタの温度を温度測定手段により電圧値で得て、この起電力を前記バイアス供給回路に与え、前記バイアス供給回路は前記起電力に基づいたバイアス電圧を前記電界効果型トランジスタに与えることを特徴とする高周波電力増幅器。

IPC (2)：

H03F 1/30 ,  H03F 3/21

FI (2)：

H03F 1/30 A ,  H03F 3/21

F-Term (39)：

5J090AA04 ,  5J090AA41 ,  5J090CA02 ,  5J090CA57 ,  5J090CN03 ,  5J090CN04 ,  5J090FA08 ,  5J090FA10 ,  5J090FN06 ,  5J090FN07 ,  5J090FN14 ,  5J090HA09 ,  5J090HA43 ,  5J090HN20 ,  5J090KA12 ,  5J090KA29 ,  5J090KA48 ,  5J090MA22 ,  5J090QA04 ,  5J090SA14 ,  5J090TA01 ,  5J091AA04 ,  5J091AA41 ,  5J091CA02 ,  5J091CA57 ,  5J091FA08 ,  5J091FA10 ,  5J091FP08 ,  5J091GP02 ,  5J091HA09 ,  5J091HA43 ,  5J091KA12 ,  5J091KA29 ,  5J091KA48 ,  5J091MA22 ,  5J091QA04 ,  5J091SA14 ,  5J091TA01 ,  5J091UW08