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J-GLOBAL ID：200903024379294784
電子放出素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994200356
Publication number (International publication number)：1996064111
Application date： Aug. 25, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】 電界放出の効率が良い電子放出素子を提供することを目的とする。【構成】 ガラス基板28上に四角錘状のエミッタ201 、このエミッタ201上の先端部以外の部分にSiO2 層17、SiO2 層17上にグリッド電極13が形成されている。またガラス基板28上のエミッタ201 とは異なる位置にMOSFET24が形成されており、MOSFETのソ-ス電極21はエミッタ201 に接続されている。
Claim (excerpt)：
基板と、この基板上に形成され先端が鋭いエミッタと、このエミッタの先端を除く前記エミッタ上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成されたグリッド電極と、前記基板上の前記エミッタとは異なる位置に形成され前記エミッタに接続された半導体制御素子とを備えたことを特徴とする電子放出素子。
Patent cited by the Patent：
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