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J-GLOBAL ID：200903024389478930

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 尾▲崎▼ 一男 ,  山本 保
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992331628
Publication number (International publication number)：1994181303
Application date： Dec. 11, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置に関し、互いに熱膨張係数が異なる半導体チップと配線基板に設けた金属バンプ同士、或いは熱膨張係数が互いに異なる半導体チップに形成した金属バンプ同士を接続した半導体装置で動作時の低温より、非動作時の室温の温度変動で金属バンプが位置ずれしない装置を目的とする。【構成】 Siチップ2に形成した半導体素子1Aと、該Siチップ2と互いに熱膨張係数が異なる配線基板4とを、金属バンプ5,6 で接続して成る半導体装置に於いて、Siチップ2と配線基板4を接続する金属バンプ5,6 が、Siチップ2と配線基板4の長手方向の端部に到る程、斜め方向になるようにして構成する。

Claim (excerpt)：

半導体チップ(2) に設けた半導体素子(1) と、該半導体チップ(2) と互いに熱膨張係数が異なる配線基板(4) とを溶融して固化せる金属バンプ(5,6) で接続して成る半導体装置、或いは熱膨張係数が互いに異なる第1および第2の半導体チップ(2,11)に所定のピッチを隔てて設けた半導体素子(1,12)同士を金属バンプ(5,6) で接続して成る半導体装置に於いて、半導体チップ(2) と配線基板(4) 、或いは第1および第2の半導体チップ(2,11)を接続する金属バンプ(5,6) が、両者のチップ(2,11)の長手方向の端部、或いは配線基板(4) の長手方向の端部に到る程、斜め方向になるようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (2)：

H01L 27/14 B ,  H01L 21/92 B