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J-GLOBAL ID：200903024402120330

ルテニウムまたは酸化ルテニウムを化学蒸着するための前駆物質の化学的性質

Inventor： ヴァーストラ、ブライアン エイ.
Applicant, Patent owner： マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド
Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000567758
Publication number (International publication number)：2002523634
Application date： Jul. 20, 1999
Publication date： Jul. 30, 2002
Summary：

【要約】化学蒸着法技術を用いて、式LyRuXzまたはL1Ru(CO)4を有するルテニウム前駆物質を分解することにより、ルテニウムまたは酸化ルテニウムの薄膜(18)を基板(6)表面上に形成する方法が提供される。LyRuXz式中、Lは、直鎖、分枝鎖、または環式のヒドロカルビル、環式アルケン、ジエン、環式ジエン、トリエン、環式トリエン、二環式アルケン、二環式トリエン、三環式アルケン、三環式ジエン、三環式トリエン;それらのフッ素化誘導体;ヘテロ原子(例えば、ハロゲン化物、Si、S、Se、P、As、N、またはO)をさらに含むそれらの誘導体;およびその組み合わせから本質的になる群から選択される中性またはモノアニオンの配位子であり、Xは、CO、NO、CN、CS、ニトリル、イソニトリル、トリアルキルホスフィン、トリアルキルホスファイト、トリアルキルアミン、およびイソシアニドからなる群から選択されるπ結合配位子である(下付き文字yおよびzは1〜3の数値である)。L1Ru(CO)4式中、Lは、直鎖、分枝鎖、または環式のヒドロカルビル、環式アルケン、ジエン、環式ジエン、トリエン、環式トリエン、二環式ジエン、および二環式トリエンを含む群から選択される中性またはモノアニオンの配位子である。

Claim (excerpt)：

ルテニウムの薄膜を基板表面上に塗布する方法であって、前記方法は、化学蒸着技術を用いて、式Ly RuXz の前駆物質化合物を分解することを含み、上式中、 (a)Lは、直鎖ヒドロカルビル、分枝鎖ヒドロカルビル、環式ヒドロカルビル、環式アルケン、ジエン、環式ジエン、トリエン、環式トリエン、二環式アルケン、二環式ジエン、二環式トリエン、三環式アルケン、三環式ジエン、三環式トリエン、前記配位子のフッ素化誘導体、ヘテロ原子(例えば、ハロゲン化物、Si、S、Se、P、As、N、またはO)をさらに含む前記配位子の誘導体、およびそれらの組み合わせから本質的になる配位子の群から選択される中性またはモノアニオンの配位子であり、 (b)yは1〜3の数値であり、 (c)Xは、CO、NO、CN、CS、ニトリル、イソニトリル、トリアルキルホスフィン、トリアルキルホスファイト、トリアルキルアミン、イソシアニド、およびそれらの組み合わせから本質的になる群から選択されるπ結合配位子であり、(d)zは1〜3の数値である方法。

IPC (2)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/40

FI (2)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/40

F-Term (12)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030KA08 ,  4K030KA22 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15