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J-GLOBAL ID：200903024402624975

半導体装置の製造方法

Inventor： 小松 裕司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996027057
Publication number (International publication number)：1997223677
Application date： Feb. 14, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】 浅い接合を有する高集積度の半導体装置にサリサイドプロセスを適用するにあたり、金属シリサイド層の耐熱性を高め、シート抵抗や接合リーク電流の増加を防止する。【解決手段】 2段階熱処理によるサリサイドプロセスにおいて、第1の熱処理後、Ti等の金属層8を残した状態でN2 + 等の耐熱性イオン種を高抵抗金属シリサイド層9に注入する。この後金属層8を選択的に除去し、第2の熱処理を施して低抵抗金属シリサイド層10とする。【効果】 LDDサイドウォールスペーサ6上や素子分離領域2上に金属層8を残した状態で耐熱性イオン種を注入するので、これら領域の端部へのイオン注入は阻止される。したがって、低抵抗金属シリサイド層10の耐熱性があがるとともに、ペリフェラル接合リークが防止される。

Claim (excerpt)：

被処理基板表面に露出したシリコン材料層上に、低抵抗金属シリサイド層を選択的に形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、被処理基板上全面に金属層を形成する工程、第1の熱処理により、前記シリコン材料層と前記金属層を反応させて選択的に高抵抗金属シリサイド層とする工程、前記被処理基板上全面に、低抵抗金属シリサイド層の耐熱性を高め得る元素をイオン注入する工程、前記被処理基板上の未反応の金属層を除去して、前記シリコン材料層上に高抵抗金属シリサイド層を残す工程、第2の熱処理により、前記高抵抗金属シリサイド層を低抵抗金属シリサイド層に変換する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/88 M