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J-GLOBAL ID：200903024410820007
ショットキー接合を有する半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210077
Publication number (International publication number)：1997036393
Application date： Jul. 25, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：
【要約】【目的】ショットキー障壁の低下やそれに伴うショットキー接合の逆方向リーク電流の増加を抑制して、半導体装置の性能低下を防止すること。【構成】単層かまたは複数の半導体層からなる、導電性かまたは半絶縁性の半導体基板1上に、半導体層であるショットキー接触層2がエピタキシャル成長により形成される。その上に、TiやAl等の金属またはそれらの金属を層状に組み合わせた金属層であるショットキー電極3が形成され、その上にショットキー電極3を被うように窒化珪素や酸化珪素等からなる絶縁膜4がプラズマCVD法等により形成される。この絶縁膜4の形成を所定の温度以下において実施すると、ショットキー障壁の高さの低下や逆方向リーク電流の増加が見られないだけでなく、逆に、ショットキー特性の向上が見られた。
Claim (excerpt)：
半導体層と金属層との接合から成るショットキー接合を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体層の上に前記金属層を形成した後に、前記金属層を覆うように絶縁膜を形成するとき、前記絶縁膜を形成する温度をショットキー障壁の低下やそれに伴うショットキー接合の逆方向リーク電流の増加が発生しない温度以下に制御することを特徴とするショットキー接合を有する半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 29/872
, H01L 21/3065
, H01L 21/318
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/48 P
, H01L 21/318 B
, H01L 21/302 C
, H01L 29/48 H
, H01L 29/48 M
, H01L 29/80 F
