Pat

J-GLOBAL ID：200903024443239954

トンネル磁気抵抗効果素子

Inventor： 岡野 一久
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001129591
Publication number (International publication number)：2002324929
Application date： Apr. 26, 2001
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 トンネルバリア層の膜厚を極薄くした際にも、スピン散乱の要因となる酸化物強磁性層の生成を回避しつつ、トンネルバリア層自体には十分な酸化処理を施すことが可能な新規な素子構成を有するトンネル磁気抵抗効果素子と、その製造方法の提供。【解決手段】 トンネルバリア層3をトンネル接合を構成する下部強磁性層5と上部強磁性層2との間に挟む構造とする際、トンネルバリア層3は、下部強磁性層5上に酸素透過防止層4、高スピン分極率膜(酸化物磁性体層)8を設けた後、トンネルバリア層3用の酸化物膜、酸化により前記酸化物膜となる原材料膜を積層した上、追酸化または酸化処理を施して作製するトンネル磁気抵抗効果素子とする。

Claim (excerpt)：

基板と近接する側から順に、下部強磁性層と上部強磁性層が、トンネルバリア層をその間に挟んで設けられているトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記トンネルバリア層は、酸化膜からなり、前記下部強磁性層と上部強磁性層は、垂直磁気異方性を有する磁性体からなり、さらに、前記下部強磁性層とトンネルバリア層との間に導電性の非磁性材料からなる酸素透過防止層が設けられていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12

FI (7)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

F-Term (13)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5D034DA07 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049DB14