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J-GLOBAL ID：200903024446637608
情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報記憶・再生方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003162497
Publication number (International publication number)：2004064062
Application date： Jun. 06, 2003
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：
【課題】高集積で不揮発性の新規情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報の記憶・再生方法を提供する。【解決手段】異性化反応により可逆的に分子構造が変化し、該異性化反応のうち少なくとも1反応が電気的なキャリア注入により生じ、かつ該異性化反応の前後で電気的特性が変化する、双安定性分子を含む層3を有する情報記憶デバイス。この双安定性分子含有層3に対して、電気的なキャリア注入を行い、双安定性分子に異性化反応を起こすことにより情報を記憶し、電圧を印加し、情報記憶前後の電流値の変化を検出することにより情報を再生する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
異性化反応により可逆的に分子構造が変化し、該異性化反応のうち少なくとも1反応が電気的なキャリア注入により生じ、かつ該異性化反応の前後で電気的特性が変化する、双安定性分子を含む層を有することを特徴とする情報記憶デバイス。
IPC (4)：
H01L27/10
, C09K9/02
, G11C13/02
, H01L51/00
H01L27/10 451
, C09K9/02 B
, G11C13/02
, H01L29/28
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (1)
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