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J-GLOBAL ID：200903024451052448

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 杠 幸二郎
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992004005
Publication number (International publication number)：1993036974
Application date： Jan. 13, 1992
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 配線層中の不純物が半導体基板内の不純物拡散層まで拡散するのを抑制し、素子分離特性や半導体装置の性能の劣化を防止する。【構成】 シリコン基板1内のn型不純物拡散層7とドープト多結晶シリコン膜からなるゲート電極5とを第2の配線層15によって接続する。第2の配線層15はチタンナイトライド膜11を含む。ゲート電極5中の不純物が拡散するのをチタンナイトライド膜11が妨げる。

Claim (excerpt)：

主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面内に形成され、第2導電型の第1の不純物を含有する不純物拡散領域と、前記半導体基板の主表面の上に形成され、前記第1の不純物よりも拡散係数が大きい第2導電型の第2の不純物を含有する第1の配線層と、前記半導体基板と前記第1の配線層の上に形成され、前記不純物拡散領域の表面と前記第1の配線層の表面を露出させる孔を有する絶縁層と、前記孔を通じて前記不純物拡散領域と前記第1の配線層を相互に電気的に接続する第2の配線層とを備え、前記第2の配線層は、前記孔によって露出させられた前記第1の配線層の表面を少なくとも被覆するように形成された不純物拡散防止層を含む、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/46 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 N