Pat

J-GLOBAL ID：200903024468008752

半導体素子

Inventor： 宮永 昭治 ,  大谷 久 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993343951
Publication number (International publication number)：1995176745
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 特性および信頼性の優れた薄膜状半導体素子を得る。【構成】 用いる多結晶シリコン薄膜の結晶方位面について、(311)面の比率を増大せしめることによって、多結晶シリコン膜とゲート絶縁膜の界面準位密度を低減させ、よって、特性および信頼性を向上させる。

Claim (excerpt)：

半導体層のX線回折パターン又は電子線パターンによる(311)の回折強度の割合が全回折強度の15%以上である多結晶シリコン半導体層でその主要部を構成したことを特徴とする半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-137765
  
• 特開昭61-139056