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J-GLOBAL ID：200903024468690626
プラズマ処理装置
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992240398
Publication number (International publication number)：1994089879
Application date： Sep. 09, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】 処理すべき試料の表面に対して従来例に比較して均一にかつ安定に高い密度のプラズマを照射することができ、しかも小型・軽量化することができるヘリコンプラズマ処理装置を提供する。【構成】 ヘリコンプラズマ処理装置において、プラズマ処理室の内部で上記試料に向かう方向に直流磁界を発生する磁界発生装置と、上記プラズマ処理室の筒形状の軸中心からその筒の外周に向かう方向を有する第1の高周波電界と、上記プラズマ処理室の筒形状の軸中心を中心としてその筒の底面に平行な面上で角度が変化して回転する角度回転方向を有する第2の高周波電界とを、互いに所定の位相差を有する高周波信号を用いて発生することによって、ヘリコン波の電界に実質的に等しい電界を発生する電界発生装置とを備える。
Claim (excerpt)：
内部が真空状態に設定された筒形状のプラズマ処理室内でヘリコンプラズマを発生させて試料に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理室の内部で上記試料に向かう方向に直流磁界を発生する磁界発生手段と、上記プラズマ処理室の筒形状の軸中心からその筒の外周に向かう方向を有する第1の高周波電界と、上記プラズマ処理室の筒形状の軸中心を中心としてその筒の底面に平行な面上で角度が変化して回転する角度回転方向を有する第2の高周波電界とを、互いに所定の位相差を有する高周波信号を用いて発生することによって、ヘリコン波の電界に実質的に等しい電界を発生する電界発生手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/302
, H05H 1/04
, H05H 1/16
Cited by examiner (8)
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