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J-GLOBAL ID：200903024470352428

透明酸化物p-n接合ダイオード

Inventor： 細野 秀雄 ,  植田 和茂 ,  太田 裕道 ,  平野 正浩
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  太田 裕道
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001054382
Publication number (International publication number)：2002261294
Application date： Feb. 28, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 これまで、n型ないしp型を示す透明酸化物半導体は、知られていたが、同一結晶中でp型とn型の半導体特性が得られる透明酸化物が存在しなかったため、透明な酸化物p-nホモ接合ダイオードを形成することができなかった。ホモ接合では、原理的に結晶格子間のミスマッチが存在しないために、格子歪のない良質な接合を形成することができる。【構成】 p-n伝導性制御可能な透明酸化物薄膜を用いることを特徴とする透明酸化物p-nホモ接合ダイオード。透明酸化物としてはデラフォサイト型のCuInO2を用いることができる。Inサイトの一部をCaイオンで元素置換することによりp型CuInO2を、Inサイトの一部をSnイオンで元素置換することによりn型CuInO2を製造する。

Claim (excerpt)：

p-n伝導性制御可能な透明酸化物薄膜を用いることを特徴とする透明酸化物p-nホモ接合ダイオード。

IPC (3)：

H01L 29/86 ,  H01L 29/861 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 29/86 F ,  H01L 29/86 A ,  H01L 33/00 A ,  H01L 29/91 F

F-Term (6)：

5F041CA02 ,  5F041CA21 ,  5F041CA46 ,  5F041CA67 ,  5F041CB13 ,  5F041FF16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 導電性透明酸化物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-086599   Applicant：科学技術振興事業団