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J-GLOBAL ID：200903024470480485

半導体記憶装置

Inventor： 秋吉 勝広
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994118478
Publication number (International publication number)：1995326189
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】この発明の目的は、パイプラインの段数を変えることなく、レイテンシを変えることができ、高速で確実な動作が可能な半導体記憶装置を提供する。【構成】周波数変換部21は、外部クロック信号ECLKをこの周波数より2倍の周波数を有する内部クロック信号ICLKに変換する。メモリセルコア11は2段のパイプラインを有し、これらパイプラインは周波数変換部21から出力される内部クロック信号ICLKによって順次動作される。したがって、メモリセルコア11は外部クロック信号ECLKの1クロックで2段のパイプラインを動作しているため、レイテンシ1で動作していることとなり、高速且つ確実にデータを読み出すことができる。

Claim (excerpt)：

第1のクロック信号が供給され、この第1のクロック信号をこれより高い周波数を有する第2のクロック信号に変換する変換手段と、メモリセルをアクセスするための複数段のパイプラインを有し、これらパイプラインを第2のクロック信号に同期して順次動作させるメモリセルコアとを具備することを特徴とする半導体記憶装置。