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J-GLOBAL ID:200903024471360165

半導体集積回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997169342
Publication number (International publication number):1999016384
Application date: Jun. 26, 1997
Publication date: Jan. 22, 1999
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、マスクROMの回路構成に関するもので、消費電力を抑えながら、これに伴って起きる高速性喪失の問題を解決することを目的とする。【構成】 ビット線に接続されたメモリセルとセンスアンプ回路との間に、電流端子が接続されたチャージトランスファ用のトランジスタを設け、センスアンプ回路とチャージトランスファ用トランジスタの接続点と電源との間に、ビット線をプリチャージするプリチャージトランジスタを設けることで、選択されたビット線のみをプリチャージして消費電力を抑える。さらに、ビット線を常にプルダウンさせる回路を設けることで電位下降に要する時間を早め、センスアンプの読み出し速度を向上させる。
Claim (excerpt):
ビット線に接続されたメモリセルと、センスアンプ回路と、前記メモリセルと前記センスアンプ回路との間に設けられたチャージトランスファ用のトランジスタと、前記センスアンプ回路と前記チャージトランスファ用トランジスタの接続点と電源との間に設けられ、ビット線をプリチャージするプリチャージトランジスタとを有し、前記ビット線を常にプルダウンさせる回路を設けることを特徴とする半導体集積回路。

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