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J-GLOBAL ID:200903024472909888

錫めっき硫酸浴および錫めっき方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 椎名 彊 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993150210
Publication number (International publication number):1995003488
Application date: Jun. 22, 1993
Publication date: Jan. 06, 1995
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、電気めっきブリキおよび薄錫めっき鋼板の製造に用いる錫めっき硫酸浴および錫めっき方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、主成分として5〜50g/lの硫酸、40〜100g/lの錫(II)、光沢添加剤、およびo-キノン、p-キノン、キノンイミンのいずれかもしくは複数からなるスラッジ抑制剤を0.02〜1g/l含む錫めっき硫酸浴、および該めっき浴を用い、浴温30〜70°C、電流密度50A/dm2 以上で鋼ストリップに錫を高電流密度で電析させる錫めっき方法である。
Claim (excerpt):
主成分として5〜50g/lの硫酸、40〜100g/lの錫(II)、光沢添加剤、およびo-キノン、p-キノンまたはキノンイミンであるスラッジ抑制剤を0.02〜1g/l含む錫めっき硫酸浴。
IPC (2):
C25D 3/32 ,  C25D 5/26

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