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J-GLOBAL ID：200903024479371123

半導体圧力センサとその製造方法及びこれを用いた差圧伝送器

Inventor： 庄司 康則 ,  鵜飼 征一 ,  清水 康司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 春日 讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996295085
Publication number (International publication number)：1998142086
Application date： Nov. 07, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】相対圧力を検出できるとともに、検出出力の直線性が向上された高精度の半導体圧力センサを実現する。【解決手段】シリコン基板51aの表面に高濃度不純物層51bが形成され不純物層51b内に円形状の差圧検出用中洞部61、静圧検出用中洞部62、圧力導入口63、エッチング液導入用穴部64が形成される。不純物層51bにはSiONの絶縁膜52、シリコン膜53が形成されダイアフラム65、66を形成し、シリコン膜53には応力を検知するピエゾ抵抗31a〜31d、32a〜32d、温度センサ33が形成される。ダイアフラム65上にアルミニウム厚膜の円形状のボス57が配置され、ボス57の周縁近傍のダイアフラム65の一部分が固定端として働き直線性の良い出力を得られる。ダイアフラム65上のシリコンはピエゾ抵抗31a〜31dが形成されたリブ67を除いて薄く形成され、これにより半導体圧力センサの圧力感度を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板の一方の面に形成された凹部と、この凹部開口側を覆うように上記単結晶シリコン基板の一方の面に形成した絶縁膜と、この絶縁膜上に配置され、少なくとも1個のピエゾ抵抗が形成されたシリコン膜とを有し、上記絶縁膜及びシリコン膜により、測定する圧力に応じて変位する差圧ダイアフラムとする半導体圧力センサにおいて、上記差圧ダイアフラムの上記単結晶シリコン基板に形成された凹部に対向する面とは反対側の面上の領域に形成された剛体部と、上記絶縁膜と上記単結晶シリコン基板の凹部とにより形成された空間部に圧力を導入する導入口と備えることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (3)：

G01L 9/04 101 ,  G01L 27/00 ,  H01L 29/84

FI (3)：

G01L 9/04 101 ,  G01L 27/00 ,  H01L 29/84 B