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J-GLOBAL ID:200903024490306430

埋込原子細線

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993153283
Publication number (International publication number):1995030093
Application date: Jun. 24, 1993
Publication date: Jan. 31, 1995
Summary:
【要約】【目的】 従来の集積回路技術に代わる超高密度集積回路の構成要素である原子細線において、結晶面上に配置された原子を安定に存在させること。【構成】 結晶面上に形成した溝に原子細線を構成する原子を埋め込み、あるいは更に他の原子で覆う。【効果】 本発明による原子細線によれば、従来のプロセスを用いた集積回路と比較して、遥かに高密度の回路を構成し得る。
Claim (excerpt):
絶縁体あるいは半導体結晶面上に形成された、原子一個乃至複数個分の深さ及び幅を持つ溝に導電性の原子を複数個埋め込み、結晶面上で安定に存在しうる構造を具備したことを特徴とする原子細線。
IPC (4):
H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/66

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