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J-GLOBAL ID：200903024499582490

パワー半導体基板及びその製造方法

Inventor： 市田 晃 ,  有川 正 ,  加柴 良裕 ,  野口 二三夫 ,  ▲高▼井 伝栄
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社 ,  三菱電機株式会社 ,  平井精密工業株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996048846
Publication number (International publication number)：1997148491
Application date： Mar. 06, 1996
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 熱を発生する例えば、電力半導体を搭載した際にも、クラックを発生せず、さらに、多層構造を備えていながら接合界面が少ないので、剥離の心配がない高い信頼性を有し、且つ、長い寿命を有するパワー半導体基板を提供することである。【解決手段】 パワー半導体基板は、パワー半導体に用いられ、絶縁板2と、前記絶縁板2の表裏面に接合された第1及び第2の複合板材1、3とを備えている。第1及び第2の複合板材1、3は、銅とモリブデンの粉末混合・焼結・圧延工程を施すことで作製されるか、モリブデン板を2枚の銅板によって挟むことによって構成される。この第1の複合板材1は、パワーモジュール実装のために、エッチングによりパターン化され、半導体チップ搭載用の回路を構成している。

Claim (excerpt)：

パワー半導体を実装するのに用いられるパワー半導体基板において、絶縁板と、前記絶縁板の表裏面に接合され、当該絶縁板に比較して放熱性の高い第1及び第2の高放熱複合板材とを備え、前記第1及び第2の高放熱複合板材は、銅とモリブデンの粉末を混合・焼結及び圧延することによって、形成されており、前記第1及び第2の高放熱複合板材の内の少なくとも一方は、パターン加工されていることを特徴とするパワー半導体基板。

IPC (3)：

H01L 23/14 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/373

FI (3)：

H01L 23/14 M ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 M