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J-GLOBAL ID：200903024503772797

半導体装置

Inventor： 若田部 勝 ,  九里 伸治 ,  菅 孝
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992086058
Publication number (International publication number)：1993259437
Application date： Mar. 09, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 逆漏れ電流の極めて小さい、低損失、高耐圧、かつ高速の半導体装置を得る。【構成】 一対の逆導電型半導体領域6(例えばP+)ではさまれた一導電型半導体1(例えば、N)の最短距離をWN、一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をWbiとしたとき、0<WN≦2Wbiであるように構成し、さらに、電極Aと接する部分の一導電型半導体を他の部分の一導電型半導体とは抵抗値の異なる第2の一導電型半導体8にしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体の表面に複数の逆導電型半導体領域を形成し<HAN>、</HAN>該逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の表面に電極を設け<HAN>、</HAN>一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をWN、一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をWbiとしたとき、0<WN≦2Wbiであるように構成した半導体装置において、電極と接する部分の一導電型半導体を他の部分の一導電型半導体とは抵抗値の異なる第2の一導電型半導体にしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/48 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/804

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/80 V