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J-GLOBAL ID:200903024505532483
液晶表示装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
朝日奈 宗太 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996165954
Publication number (International publication number):1998010556
Application date: Jun. 26, 1996
Publication date: Jan. 16, 1998
Summary:
【要約】【課題】 消費電力が低く、かつ、表示輝度の高い液晶表示装置を提供する。【解決手段】 互いに平行に対向しかつ液晶分子11を挟持してなる2枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁性基板10上に形成されるゲート信号線1と、絶縁膜9を介してゲート信号線に直交するソース信号線2と、ゲート信号が入力されるTFT4に接続される第1の画素電極5と、ゲート信号線に対して平行に形成されるコモン信号線3に接続される第2の画素電極6とからなり、ゲート信号が入力されることによりTFTのスイッチングが制御され、第1の画素電極と第2の画素電極とのあいだにおいて、透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が制御されて、液晶分子が駆動される液晶表示装置であって、第1の画素電極および第2の画素電極のうち少なくとも一方が透明性導電膜で形成され、ときにはTFTがゲート信号線上に形成される。
Claim (excerpt):
互いに平行に対向する2枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信号線と、該ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶縁膜を介してゲート信号線に直交するソース信号線と、前記ゲート信号線に対して平行に形成されるコモン信号線と、前記ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が入力される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続される第1の画素電極と、前記コモン信号線に接続される第2の画素電極と、前記2枚の透明絶縁性基板のあいだに挟持される液晶分子とからなり、前記ゲート信号が入力されることにより前記薄膜トランジスタのスイッチングが制御され、前記ソース信号線を経て伝送されるソース信号が前記薄膜トランジスタを介して前記第1の画素電極に印加されて該第1の画素電極の電位が制御され、かつ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン信号が前記第2の画素電極に印加されることにより、前記第1の画素電極と前記第2の画素電極とのあいだで前記透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が制御されて、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置であって、前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジスタが形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (2):
G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
FI (2):
G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-233926
Applicant:株式会社東芝
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アクティブマトリクス型液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-211742
Applicant:松下電器産業株式会社
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液晶表示基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-213866
Applicant:株式会社日立製作所
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