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J-GLOBAL ID：200903024506631582

アバランシェダイオード

Inventor： 細田 誠
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997127556
Publication number (International publication number)：1998321896
Application date： May. 16, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 リーク電流、暗電流及びホール増倍率を低減し、且つ良好な量子効率を得ることのできるアバランシェダイオードを提供すること目的とする。【解決手段】 n型GaAs半導体基板と、p型GaAs半導体層との間に、GaAs量子井戸層とAlAs障壁層とが交互に積層されてなるi型の超格子構造を有するpin型のアバランシェダイオードにおいて、その量子井戸層の厚さを22〜32原子層とし、且つ障壁層の厚さを10〜24原子層とした。これによってその障壁層のX点準位が、その障壁層のp型半導体層側に隣接している量子井戸層の第1Γ点準位より低くなり、且つその障壁層のn型半導体層側に隣接している量子井戸層の、第1Γ点準位より高位の第2Γ点準位と共鳴するような値に逆バイアス電圧を設定することができ、電子を第1Γ点-X点-第2Γ点-第1Γ点準位へと移動させ、アバランシェ増倍を発生させる。

Claim (excerpt)：

n型GaAs半導体基板とp型GaAs半導体層との間に、GaAs量子井戸層とAlAs障壁層とが交互に積層されてなるi型の超格子構造を有するpin型のアバランシェダイオードであって、前記量子井戸層の厚さを22〜32原子層とし、且つ前記障壁層の厚さを10〜24原子層としたことを特徴とするアバランシェダイオード。