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J-GLOBAL ID：200903024523235348

ヘテロ超格子pn接合

Inventor： レロイ・リ=ゴン・チャン ,  スプラティク・グハ ,  ムネカタ・ヒロオ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272606
Publication number (International publication number)：1993275744
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 n型超格子とp型超格子が組み合わされて、青色以上の光を放出するのに十分なバンドギャップの単一pn接合となった、ヘテロ超格子pn接合を有する発光半導体デバイスを提供する。【構成】 ウェル材料は、キャリア濃度になるまでドーピングし、バリア材料はウェル材料の厚さとあいまって、超格子の有効バンドギャップが調節されるように選ぶ。第1の超格子250はn型のドーピングしたZnSeウェル層10,30,40とドーピングしないZnMnSeバリア層20から形成し、第2の超格子200はp型のドーピングしたZnTeウェル層60,70,90とドーピングしないZnMnSeバリア層80から形成する。第1と第2の超格子を組み合わせて、ヘテロ超格子pn接合を形成する。個々のウェル層及びバリア層の厚さと組成は、pn接合の有効バンドギャップが調節されるように変えることができる。

Claim (excerpt)：

複数の第1ウェル層が複数の第1バリア層に挟まれている第1超格子と、複数の第2ウェル層が複数の第2バリア層の間に挟まれている第2超格子とを備え、上記第1超格子と上記第2超格子とがpn接合を形成している半導体デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-152284