半導体発光ダイオード

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999326208
Publication number (International publication number)：2001144330
Application date： Nov. 17, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】発光層、酸化物からなる窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、素子駆動電流を開放発光領域に均一に拡散させ、高輝度、高発光効率のLEDを提供する。【解決手段】半導体LED構成層と窓層との間に、特定のパターンで導電性電極を敷設する。

Claim (excerpt)：

発光層、酸化物からなる窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、素子平面における台座電極の射影領域以外に導電性電極を有することを特徴とする半導体発光ダイオード。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

F-Term (6)：

5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F041CA82 , 5F041CA85 , 5F041CA88 , 5F041CA93

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-328558 Applicant：株式会社東芝
特開昭57-111076
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-128077 Applicant：晶元光電股ふん有限公司

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