有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007220804
Publication number (International publication number)：2009054830
Application date： Aug. 28, 2007
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：

【課題】本発明の目的は、高移動度、熱安定性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することにある。【解決手段】支持体上にゲート電極、絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。一般式(1) A-(Y)n(式中、Aは、芳香族炭化水素環、または芳香族複素環、または芳香族炭化水素環及び芳香族複素環が少なくとも3環以上縮合した縮合環を表し、Yは、-CO-,-CONH-,-SO2-,-SO2NH-、でそれぞれ表される連結基のうち少なくとも1つを部分構造として有する置換基を表す。nは、1〜8の整数を表す。但し、複数のYは、同じでも異なっていてもよい。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

支持体上にゲート電極、絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。一般式(1) A-(Y)n (式中、Aは、芳香族炭化水素環、または芳香族複素環、または芳香族炭化水素環及び芳香族複素環が少なくとも3環以上縮合した縮合環を表し、 Yは、-CO-,-CONH-,-SO2-,-SO2NH-、でそれぞれ表される連結基のうち少なくとも1つを部分構造として有する置換基を表す。nは、1〜8の整数を表す。但し、複数のYは、同じでも異なっていてもよい。)

IPC (3)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/78 618B

F-Term (68)：

4C071AA01 , 4C071AA07 , 4C071BB01 , 4C071CC22 , 4C071DD04 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG01 , 4C071HH11 , 4C071HH13 , 4C071HH28 , 4C071JJ01 , 4C071LL10 , 4C072MM08 , 4C072UU10 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB91 , 4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VQ24 , 4H049VU25 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

国際公開第2006/077888号パンフレット

Return to Previous Page