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J-GLOBAL ID：200903024550206074

シリコンのエッチング方法

Inventor： 鍛示 和利 ,  姚 學麟 ,  板谷 謹悟 ,  作原 寿彦
Applicant, Patent owner： 新技術事業団 ,  鍛示 和利 ,  作原 寿彦
Agent (1)： 小倉 亘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994173467
Publication number (International publication number)：1996013165
Application date： Jul. 01, 1994
Publication date： Jan. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 原子オーダの平坦性を保ちながら一層ごとにエッチングし、平坦度の高い表面をもつシリコン基板を得る。【構成】 NH4 F溶液に浸漬したSi基板にレストポテンシャル以下の電位を印加し、Si基板をエッチングする。NH4 F溶液としては、NH4 Fの濃度が10M以下である。また、シリコン基板に印加する電位は、レストポテンシャルからレストポテンシャルより-1.5Vvs. SCEカソード側の範囲にある。【効果】 原子レベルでの平坦度をもつことから、微細加工に適したシリコン基板となる。

Claim (excerpt)：

NH4 Fを含む溶液に浸漬したSi基板にレストポテンシャル以下の電位を印加し、前記Si基板を前記NH4 Fを含む溶液でエッチングすることを特徴とするシリコンのエッチング方法。

IPC (3)：

C23F 1/24 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-094100