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J-GLOBAL ID：200903024555859629

パターン測定方法

Inventor： 野村 博 ,  佐藤 隆 ,  河野 拓也 ,  井場 淳一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997305917
Publication number (International publication number)：1999142108
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 測定試料の作成にさほどの時間を要することなく、レンズ収差や非対称照明を調べるためのパターン測定を短時間で正確に行う。【解決手段】 レンズ収差や非対称照明を調べるためのパターン測定方法において、ライン&スペースパターンを線対称に配置した第1のパターン54とその外側に線幅の太いラインパターンを線対称に配置した第2のパターン55を有するマスクパターンを基板上に転写する第1の工程と、第1のパターン54の一部を抽出するためのパターン56と第2のパターン55の全体を抽出するためのパターン57が線対称に配置されたマスクパターンを同じ基板上に重ねて転写する第2の工程と、第1の工程で形成された第2のパターン55の転写パターンの位置と、第1の工程で形成された第1のパターン54の転写パターンのうち第2の工程で抽出されたパターンの位置とをそれぞれを検出する第3の工程を有する。

Claim (excerpt)：

複数の単位パターンが第1の直線の直交方向に等間隔に並び、且つこの第1の直線に対して実質的に線対称に配置された周期パターンからなるマスクパターンを基板上に転写する第1の工程と、第1の工程の前又は後に、前記周期パターンの中央部の所定数の単位パターンの少なくとも一部を取り除くための抜きパターンが前記基板上で第1の直線に対応する第2の直線に対して実質的に線対称に配置されたマスクパターンを前記基板上に転写する第2の工程と、第1の工程により形成された転写パターンの最外側の単位パターンの位置と、第1の工程により形成された転写パターンのうち第2の工程により取り除かれたパターンに隣接する最内側の単位パターンの位置とをそれぞれ検出する第3の工程とを含むことを特徴とするパターン測定方法。

IPC (3)：

G01B 11/00 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G01B 11/00 A ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 516 A