Pat
J-GLOBAL ID:200903024557746520

圧電磁器組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西澤 均
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993209015
Publication number (International publication number):1995041363
Application date: Jul. 29, 1993
Publication date: Feb. 10, 1995
Summary:
【要約】【目的】 低い温度で焼成することが可能で、Pbの雰囲気制御を行うために焼成時に特殊なさや鉢を用いたりする必要がなく、また、圧電アクチュエータのような一体焼成型のセラミックス素子を製造する場合に、内部電極として高価なPtなどの材料を使用する必要のない圧電磁器組成物を提供する。【構成】 XPb(Niα<SB>/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>-YPbZrO<SB>3</SB>-ZPbTiO<SB>3</SB>を基本組成とし、一般記号ABO<SB>3</SB>で表されるペロブスカイト型の圧電磁器組成物の、X,Y,Zをそれぞれ、0.20≦X≦0.60、0.15≦Y≦0.60、0.30≦Z≦0.60の範囲とし、かつ、BサイトのNi比率(α)を1<α<2の範囲として化学量論組成よりも過剰にする。
Claim (excerpt):
XPb(Niα<SB>/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>-YPbZrO<SB>3</SB>-ZPbTiO<SB>3</SB>を基本組成とし、一般記号ABO<SB>3</SB>で表されるペロブスカイト型の圧電磁器組成物であって、X,Y,Zがそれぞれ、0.20≦X≦0.600.15≦Y≦0.600.30≦Z≦0.60の範囲にあり、かつ、BサイトのNi比率(α)が、1<α<2の範囲にあって、化学量論組成よりも過剰であることを特徴とする圧電磁器組成物。
IPC (2):
C04B 35/49 ,  H01L 41/187
FI (2):
C04B 35/49 T ,  H01L 41/18 101 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平2-301172
  • 特開平2-301173
  • 特開平2-301174

Return to Previous Page