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J-GLOBAL ID：200903024559700063
半導体不揮発性記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994106795
Publication number (International publication number)：1995320487
Application date： May. 20, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】データ書き込み時のしきい値電圧分布の広がりを狭く抑えることができ、低電圧動作に適した半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】NAND型フラッシュEEPROMのような半導体不揮発性記憶装置のデータ書き込み動作において、選択ワード線にプラス電圧を印加しFNトンネリングによりフローティングゲート中に電子を注入することによりしきい値電圧VTHを上昇させた直後に、選択ワード線にマイナス電圧を印加しフローティングゲート中の電子を引き抜くことによってしきい値電圧VTHを下降させ、所望のしきい値電圧VTHに収束させる、2段階のデータ書き込み動作を行う。これにより、プロセス上のバラツキ等により書き込み特性がばらついても、「0」データ書き込みセルのしきい値電圧VTHのバラツキを小さく抑えることができる。
Claim (excerpt)：
選択したワード線に所望の電圧を印加してFNトンネリングにより電荷蓄積層の電荷の注入状態を変化させることにより、しきい値を所望のしきい値に遷移させて書き込み動作を行う半導体不揮発性記憶装置であって、上記選択ワード線に第1の電圧を印加して電荷蓄積層に電荷を注入することによりしきい値を上昇させた後に、上記選択ワード線に第2の電圧を印加して電荷蓄積層から電荷を引き抜いてしきい値を所望のしきい値まで下降させて書き込みを行う手段を有する半導体不揮発性記憶装置。
Patent cited by the Patent：
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